在充电过程中，​​​​智能开关自动切换到ISW-OER线路，​​​​ORR催化层被IC|EIM隔开，此时OER催化剂产生析氧过程，ORR层完全屏蔽得到保护，避免了高充电电位对ORR催化层的腐蚀作用（图1）。

（b）归一化为Pd/C、岁时世界上最上Pd/NC、Pd/Co@NC和Pd+Co@NC的Pd负载（左）和ECSA（右）的峰电流密度(J ) 。（e）含有grapN、次有钱pydN和p-pydN的氮掺杂石墨烯层的原子结构。

分钟访（f）里的插图显示了Pd的放大STEM图像。采的男©2023TheAuthor(s)图5Pd/Co@NC对电催化ORR性能的界面协同效应。人爱右轴：Jafter（AST后的质量活度）到Jinitial（AST前的初始质量活度）的百分比。

​​​​（a）不同样品的ORR半波电位(E 1/2)。©2023TheAuthor(s)五、岁时世界上最上【成果启示】 综上所述，这项工作展示出了一种很有前途的具有界面协同作用和整体结构效应的Pd/Co@NC催化剂。

次有钱©2023TheAuthor(s)图3Pd/Co@NC对电催化EOR性能的界面协同效应。

分钟访（d）使用不同催化剂的DEFC的最大功率密度。一、采的男【导读】 在双碳目标背景下，新技术与新材料的研发需要面对资源、环境和人口的巨大压力，技术迭代、节约资源以及回收循环再利用等问题。

人爱c)Cu和d)Cu6Sn5/氧化物和Cu6Sn5的K-边XANES。此外，​​​​Cu6Sn5/氧化物作为GDE在CO2RR的流通池中显示出70mAcm-2的电流密度和95.64%的FEHCOOH（−0.95V）。

通过设计串联活性中心来调节反应路径以降低反应电位的策略，岁时世界上最上可应用于其他涉及多个连续步骤的催化反应。e、次有钱j)激光刻蚀CuSn片的深度。